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       半電波暗室SAC3+/SAC5+是完全按照3m或5m測試距離設計的半電波暗室。拱頂設計和吸波材料的優(yōu)化布局，以及鐵氧體和部分復合吸波材料的頻率覆蓋范圍從26MHz至18GHz，可使暗室內的反射達到*小。半電波暗室SAC3+/SAC5+由于內置的復合吸波材料的長度相對較短，所以這種暗室的尺寸比內置長尖劈吸波材料的暗室尺寸更小。半電波暗室SAC3+/SAC5+在30MHz到1GHz時具有優(yōu)越的歸一化場地衰減特性（±3dB），在1GHz到18GHz范圍內的場地電壓駐波比（4dB）更是大大優(yōu)于CISPR 16-1-4的要求。這種暗室的標準配置包括1-4m掃描高度的天線塔、轉臺以及它們的控制器。